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參數(shù)資料
| 型號： | APT-18646 |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | APT-18646 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT18-3032R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| APT20GF120BR | 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT20GF120KR | 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT20GF120KR | 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT20GT60BRDQ1 | 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT18F60B | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT18F60S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK |
| APT18M100B | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT18M100B_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT18M100S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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