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參數(shù)資料
| 型號： | APT-8266 |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | APT-8266 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT18-2735 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| ASPJ978 | 872 MHz - 960 MHz BASE STATION/BROADCAST TRANSMISSION ANTENNA, 10.65 dBi GAIN |
| ACSM2006P | RF/MICROWAVE LINEAR DETECTOR |
| ACSM2007P | RF/MICROWAVE LINEAR DETECTOR |
| ACTP1524P | RF/MICROWAVE LINEAR DETECTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT83GU30B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT83GU30S | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT84F50B2 | 功能描述:MSOFET N-CH 500V 84A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT84F50L | 功能描述:MSOFET N-CH 500V 84A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT84M50B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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