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參數資料
| 型號： | APT1001R1BNR-GULLWING |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 10.5 A, 1000 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | APT1001R1BNR-GULLWING |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT1001RBNR-GULLWING | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001R1BNR-BUTT | 10.5 A, 1000 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001RBNR-BUTT | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1001R1BNR | 10.5 A, 1000 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT1001RBNR | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT1001R1BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT1001R1DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP |
| APT1001R1HN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-258ISO |
| APT1001R1HVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT1001R1SN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-263AB |
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