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參數資料
| 型號： | APT1001R3HN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 9 A, 1000 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
| 封裝： | TO-258, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 558K |
| 代理商： | APT1001R3HN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT4040AN | 14.5 A, 400 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| APT5040AN | 14.5 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| APT6060CN | 10.5 A, 600 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT60M90BFN | 63 A, 600 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT4030AN | 17 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT1001R6BFLL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET |
| APT1001R6BFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT1001R6BN | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT1001R6SFLL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET |
| APT1001R6SFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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