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參數資料
| 型號： | APT1002RBN-BUTT |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 7 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | APT1002RBN-BUTT |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT902R4BN-BUTT | 6.5 A, 900 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT902R4BN-GULLWING | 6.5 A, 900 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1002RBN-GULLWING | 7 A, 1000 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1002R4BN-BUTT | 6.5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT1002R4BNR-BUTT | 6.5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT1002RBNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-247AD |
| APT1002RCN | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT1002RDN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP |
| APT10030L2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT10030L2VFR_04 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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