型號: | APT10088HVR |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 11 A, 1000 V, 0.88 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258 |
封裝: | TO-258, 3 PIN |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 491K |
代理商: | APT10088HVR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT6017WVR | 31.5 A, 600 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-267 |
2N7228R1 | 12 A, 500 V, 0.515 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
2N7228 | 8 A, 500 V, 0.515 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
2N7261 | 8 A, 100 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
2N7269U | 26 A, 200 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-267AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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APT10090BFLL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
APT10090BFLL_03 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS |
APT10090BFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
APT10090BLL | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
APT10090BLL_03 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |