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參數(shù)資料
| 型號： | APT100GT120JRDLG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 123 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | APT100GT120JRDLG |
Symbol
Parameter
APT100GT120JRDL(G)
Unit
V
CES
Collector-Emitter Voltage
1200
Volts
V
GE
Gate-Emitter Voltage
±20
I
C1
Continuous Collector Current @ T
C = 25°C
123
Amps
I
C2
Continuous Collector Current @ T
C = 100°C
67
I
CM
Pulsed Collector Current 1
200
SSOA
Switching Safe Operating Area @ T
J = 150°C
200A @ 1200V
P
D
Total Power Dissipation
570
Watts
T
J, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to 150
°C
T
L
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063” from Case for 10 Sec.
300
Maximum Ratings
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
Symbol
Characteristic / Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, IC = 5mA)
1200
-
Volts
V
GE(TH)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, IC = 4mA, Tj = 25°C)
4.5
5.5
6.5
V
CE(ON)
Collector Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 100A, Tj = 25°C)
2.7
3.2
3.7
Collector Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 100A, Tj = 125°C)
-
4.0
-
I
CES
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
-
300
μA
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
-
1500
I
GES
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
-
600
nA
R
G(int)
Integrated Gate Resistor
-5-
Ω
Static Electrical Characteristics
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed
.
Microsemi Website - http://www.microsemi.com
052-6351
Rev
A
7-2008
SO
T-
22
7
ISOTOP
file # E145592
"UL Recognized"
G
E
C
1200V
APT100GT120JRDL(G)
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
The Thunderbolt IGBT used in this Resonant Mode Combi is a new generation of high
voltage power IGBTs. Using Non- Punch Through Technology, the Thunderblot IGBT of-
fers superior ruggedness and ultrafast switching speed.
Resonant Mode IGBT
Features
Low Conduction Loss
Low Gate Charge
Ultrafast Tail Current shutoff
Low forward Diode Voltage (V
F)
Ultrasoft Recovery Diode
SSOA Rated
RoHS Compliant
Typical Applications
Induction Heating
Welding
Medical
High Power Telecom
Resonant Mode Phase Shifted
Bridge
G
C
E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GT60LRG | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT100GT60B2R | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT100GT60LR | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT106N60B2C6 | 106 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M07JVR | 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| APT100GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT100GT120JU3 | 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT100GT60B2R | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT100GT60B2RG | 功能描述:IGBT 600V 148A 500W SOT247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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