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參數(shù)資料
| 型號： | APT13GP120K |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | APT13GP120K |
050-7415
Rev
B
2-2004
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT13GP120K
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
510
15
20
25
30
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
Cres
Cies
Coes
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 600V
RG = 5
3,000
1,000
500
100
10
1
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000
181
100
50
10
0.216
0.284
0.600F
0.161F
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
Case temperature
RC MODEL
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT13GP120KG | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT13GP120K | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
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| APT15GF120JCU2 | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| APT13GP120SG | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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