型號: | APT13GP120K |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
封裝: | TO-220, 3 PIN |
文件頁數: | 6/6頁 |
文件大小: | 156K |
代理商: | APT13GP120K |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT150GN60J | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT15GF120JCU2 | 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
APT15GN120BDQ1G | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GN120BDQ1 | 45 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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APT13GP120KG | 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT13GP120S | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT13GP120SG | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT14050JVFR | 功能描述:MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標準包裝:10 系列:* |
APT14F100B | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |