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參數資料
| 型號： | APT20M22B2VR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | APT20M22B2VR |
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
APT20M22B2VR
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
500
100
50
10
5
1
20
16
12
8
4
0
050-5610
Rev
C
OPERATION HERE
LIMITED BY RDS (ON)
TJ =+150°C
TJ =+25°C
Crss
1
5
10
50
100
200
.01
.1
1
10
50
0
100
200
300
400
500
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Coss
Ciss
30,000
10,000
5,000
1,000
500
100
400
100
50
10
5
1
VDS=100V
VDS=40V
VDS=160V
I
D
= I
D
[Cont.]
10
S
1mS
10mS
100mS
DC
100
S
T-MAX Package Outline 5
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2-Plcs.
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT20M22B2VR | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT20M22LVFR | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT20M22LVFR | 100 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT20M36BFLL | 65 A, 200 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT20M36BFLLG | 65 A, 200 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT20M22B2VRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT20M22JVFR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標準包裝:10 系列:* |
| APT20M22JVR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS V® 標準包裝:10 系列:* |
| APT20M22JVRU2 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
| APT20M22JVRU3 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
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