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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT20M45SNR |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 58 A, 200 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | D3PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | APT20M45SNR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT20M60BNFR | 50 A, 200 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT20M45BNFR | 58 A, 200 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT25GP120B | 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GP120B | 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT25GP120BG | 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT20M45SVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M45SVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT20M45SVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M45SVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A D3PAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT20M60BNFR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-247AD |
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