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參數(shù)資料
型號(hào): APT25GP120B
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大小: 95K
代理商: APT25GP120B
050-7411
Rev
B
4-2003
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
TC=125°C
TC=25°C
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TC=25°C
TC=125°C
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, JUNCTION TRMPERATURE (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,
COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
APT25GP120B
IC = 25A
TJ = 25°C
IC= 50A
IC= 25A
IC= 12.5A
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
IC=12.5A
IC= 25A
IC= 50A
0
1
23
4
5
0
1
23
45
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20406080
100
120
6
8
10
12
14
16
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
VCE= 240V
VCE= 600V
VCE= 960V
60
50
40
30
20
10
0
100
80
60
40
20
0
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1.2
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.90
0.85
0.8
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PDF描述
APT25GP120B 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
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APT25GP90BDQ1 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
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