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參數資料
| 型號： | APT30GN60B |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 395K |
| 代理商： | APT30GN60B |
050-7616
Rev
A
7-2005
APT30GN60B(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
3,000
1,000
500
100
50
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200 300
400 500
600 700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 4.3
130
50
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
res
C
oes
C
ies
0.239
0.244
0.258
0.00158
0.00349
0.0793
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30GN60BG | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GP60JDQ1 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT30GP60JDQ1 | 67 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT30M36B2LLG | 84 A, 300 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT30M36LLL | 84 A, 300 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT30GN60BDQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT30GN60BDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 63A 203W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT30GN60BG | 功能描述:IGBT 600V 63A 203W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT30GN60K | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
| APT30GN60KG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SIN - Rail/Tube |
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