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參數(shù)資料
型號(hào): APT5020BN-GULLWING
元件分類: JFETs
英文描述: 28 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 154K
代理商: APT5020BN-GULLWING
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT5020BN-BUTT 28 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5022BN-GULLWING 27 A, 500 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5022BN-BUTT 27 A, 500 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5027BNR 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT5030BN 21 A, 500 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT5020BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5020BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT5020BVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5020BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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