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參數資料
| 型號： | APT5022BNF |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 27 A, 500 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | APT5022BNF |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5020BNF | 28 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT5025AN | 20 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| APT4530AN | 18 A, 450 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| APT5030AN | 18 A, 500 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| APT4525AN | 20 A, 450 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT5022BNFR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247AD |
| APT5022BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 13.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 |
| APT5022BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
| APT5022JN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) |
| APT5023DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
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