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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT5022BNFR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 27 A, 500 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 926K |
| 代理商： | APT5022BNFR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5020HJN | 28 A, 500 V, 0.2 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5021HLL | 20 A, 500 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
| APT5024CLL | 17 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT5027SNR | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5040CNR | 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT5022BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 13.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
| APT5022BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
| APT5022JN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) |
| APT5023DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
| APT5024AVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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