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參數資料
| 型號： | APT50GT120B2R |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | APT50GT120B2R |
Symbol
Parameter
Ratings
Unit
V
CES
Collector-Emitter Voltage
1200
Volts
V
GE
Gate-Emitter Voltage
±30
I
C1
Continuous Collector Current @ T
C = 25°C
94
Amps
I
C2
Continuous Collector Current @ T
C = 100°C
50
I
CM
Pulsed Collector Current 1
150
SSOA
Switching Safe Operating Area @ T
J = 150°C
150A @ 1200V
P
D
Total Power Dissipation
625
Watts
T
J, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to 150
°C
T
L
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063” from Case for 10 Sec.
300
Maximum Ratings
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
Symbol
Characteristic / Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, IC = 3mA)
1200
-
Volts
V
GE(TH)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, IC = 2mA, Tj = 25°C)
4.5
5.5
6.5
V
CE(ON)
Collector Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 50A, Tj = 25°C)
2.7
3.2
3.7
Collector Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 50A, Tj = 125°C)
-
4.0
-
I
CES
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
-
200
μA
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
-
2.0
mA
I
GES
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
-
300
nA
Static Electrical Characteristics
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed
.
Microsemi Website - http://www.microsemi.com
052-6270
Rev
D
9-2008
APT50GT120B2R(G)
APT50GT120LR(G)
1200V, 50A, VCE(ON) = 3.2V Typical
Thunderbolt IGBT
The Thunderbolt IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using
Non-Punch-Through Technology, the Thunderbolt IGBT offers superior rugged-
ness and ultrafast switching speed.
Features
Low Forward Voltage Drop
Low Tail Current
RoHS Compliant
RBSOA and SCSOA Rated
High Frequency Switching to 50KHz
Ultra Low Leakage Current
Unless stated otherwise, Microsemi discrete IGBTs contain a single IGBT die. This device is made with two parallel
IGBT die. It is intended for switch-mode operation. It is not suitable for linear mode operation.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GT120LRG | 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT50GT120LR | 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT50GT120JRDQ2 | 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT120JRDQ2 | 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT120JU2 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50GT120B2RDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode IGBT |
| APT50GT120B2RDLG | 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GT120B2RDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 94A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GT120B2RG | 功能描述:IGBT 1200V 94A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GT120JRDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 72A 379W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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