- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄57947 > APT50GT120B2RDL (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APT50GT120B2RDL |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, TMAX-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | APT50GT120B2RDL |
052-6350
Rev
A
7-2008
APT50GT120B2RDL(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT50GT120B2RDL(G)
1200
±30
106
50
150
150A @ 1200V
694
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current 8 @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 1 @ T
C = 150°C
Switching Safe Operating Area @ T
J = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 3mA)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 2mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 50A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 50A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Intergrated Gate Resistor
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
R
G(int)
Units
Volts
μA
nA
Ω
MIN
TYP
MAX
1200
4.5
5.5
6.5
2.7
3.2
3.7
4.0
300
1500
300
5
1200V
APT50GT120B2RDL(G)
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.
C
E
G
The Thunderbolt IGBT used in this Resonant Mode Combi is a new generation of high
voltage power IGBTs. Using Non- Punch Through Technology, the Thunderblot IGBT of-
fers superior ruggedness and ultrafast switching speed.
Resonant Mode IGBT
Features
Low Conduction Loss
Low Gate Charge
Ultrafast Tail Current shutoff
Low forward Diode Voltage (V
F)
Ultrasoft Recovery Diode
SSOA Rated
RoHS Compliant
Typical Applications
Induction Heating
Welding
Medical
High Power Telecom
Resonant Mode Phase Shifted
Bridge
Microsemi Website - http://www.microsemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GT120JU3 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT60BRDQ2G | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GT60BRDQ2 | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50M38JLL | 88 A, 500 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT50M50JLC | 77 A, 500 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50GT120B2RDLG | 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GT120B2RDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 94A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GT120B2RG | 功能描述:IGBT 1200V 94A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GT120JRDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 72A 379W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT50GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。