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參數資料
型號: APT50GT60BRDQ1G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝: ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
文件頁數: 8/9頁
文件大小: 431K
代理商: APT50GT60BRDQ1G
052-6281
Rev
A
11-2005
APT50GT60BRDQ1(G)
TJ =125°C
VR=400V
7.5A
15A
30A
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 175°C
Duty cycle = 0.5
TJ =175°C
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
35
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ =125°C
VR=400V
30A
7.5A
15A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
700
600
500
400
300
200
100
0
140
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
TJ =125°C
VR=400V
30A
15A
7.5A
Q
rr
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
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PDF描述
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APT50GT60BRDQ2 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
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