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參數資料
| 型號： | APT50M65B2FLL |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | B2, TMAX-3 |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | APT50M65B2FLL |
050-7031
Rev
C
12-2003
Typical Performance Curves
APT50M65B2FLL - LFLL
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
T-MAX (B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Drain Current
Gate Voltage
Drain Voltage
90%
T
J
= 125 C
90%
t
d(off)
10%
t
f
0
Switching Energy
T
J
= 125 C
10 %
t
d(on)
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
5 %
90%
10 %
t
r
Switching Energy
IC
D.U.T.
APT60DF60
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50M65B2FLL | 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT50M80B2VFR | 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT50M80B2VFRG | 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT50M80LVFR | 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT50M80B2VFR | 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT50M65B2FLL_03 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET |
| APT50M65B2FLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT50M65B2LL | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247VAR |
| APT50M65B2LL_04 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R MOSFET |
| APT50M65B2LLG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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