欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: APT50M65LFLLG
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: JFETs
英文描述: 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數: 5/5頁
文件大小: 100K
代理商: APT50M65LFLLG
050-7031
Rev
C
12-2003
Typical Performance Curves
APT50M65B2FLL - LFLL
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
T-MAX (B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Drain Current
Gate Voltage
Drain Voltage
90%
T
J
= 125 C
90%
t
d(off)
10%
t
f
0
Switching Energy
T
J
= 125 C
10 %
t
d(on)
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
5 %
90%
10 %
t
r
Switching Energy
IC
D.U.T.
APT60DF60
VCE
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
VDD
G
相關PDF資料
PDF描述
APT50M65LFLL 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT50M65B2FLLG 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M65B2FLL 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M65B2FLL 67 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT50M80B2VFR 58 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
相關代理商/技術參數
參數描述
APT50M65LLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT50M65LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT50M75B2FLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT50M75B2FLL_04 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET
APT50M75B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 57A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
主站蜘蛛池模板: 左权县| 无为县| 曲松县| 柳林县| 大同县| 宜阳县| 西和县| 江安县| 中方县| 合山市| 宁城县| 湄潭县| 伊川县| 灵寿县| 西贡区| 湖北省| 本溪| 来凤县| 斗六市| 广丰县| 云龙县| 镇江市| 天全县| 探索| 桐乡市| 青川县| 共和县| 朝阳县| 东阳市| 禹州市| 柳江县| 平谷区| 牙克石市| 利津县| 赤峰市| 班玛县| 西华县| 平和县| 兴城市| 柯坪县| 洪湖市|