- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48371 > APT6017AFN 39 A, 600 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APT6017AFN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 39 A, 600 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, ISOLATED FPAK-5 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 558K |
| 代理商： | APT6017AFN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT1001R3AN | 8.5 A, 1000 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| APT1002R4CN | 5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT1004R2GN | 3 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 |
| APT802R4CN | 4.5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT5085GN | 7 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT6017B2FLL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
| APT6017B2FLL_04 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
| APT6017B2FLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT6017B2LL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
| APT6017B2LL_04 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。