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參數資料
型號: APT6035BN-GULLWING
元件分類: JFETs
英文描述: 19 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 142K
代理商: APT6035BN-GULLWING
相關PDF資料
PDF描述
APT6035BN-BUTT 19 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT6035BN 19 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT6035SVR 18 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6035SVR 18 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT6035SVRG 18 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
APT6035BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD
APT6035BVFR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT6035BVFRG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube
APT6035BVR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6035BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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