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參數資料
| 型號： | APT6040 |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N溝道增強型高壓功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | APT6040 |
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
STG
T
L
Parameter
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
C
= 25
°
C
Pulsed Drain Current
1
Gate-Source Voltage
Total Power Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Linear Derating Factor
Operating and Storage Junction Temperature Range
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions / Part Number
Drain-Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A)
On State Drain Current
2
(V
DS
> I
D
(ON) x R
DS
(ON) Max, V
GS
= 10V)
Drain-Source On-State Resistance
2
(V
GS
= 10V, 0.5 I
D
[Cont.])
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V, T
C
= 125
°
C)
Gate-Source Leakage Current (V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V)
Gate Threshold Voltage (V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0mA)
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
MIN
TYP
MAX
0.40
40
UNIT
°
C/W
Symbol
BV
DSS
I
D
(ON)
R
DS
(ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS
(TH)
MIN
TYP
MAX
APT6040BN
600
APT6045BN
600
APT6040BN
18
APT6045BN
17
APT6040BN
0.40
APT6045BN
0.45
250
1000
±
100
2
4
UNIT
Volts
Amps
Ohms
μ
A
nA
Volts
UNIT
Volts
Amps
Volts
Watts
W/
°
C
°
C
APT
6040BN
APT
6045BN
600
600
18
17
72
68
±
30
310
2.48
-55 to 150
300
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25
°
C unless otherwise specified.
CAUTION:
These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
APT6040BN
600V
18.0A 0.40
APT6045BN
600V
17.0A 0.45
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
POWER MOS IV
0
TO-247
USA
405 S.W. Columbia Street
EUROPE
Avenue J.F. Kennedy Bat B4 Parc Cadéra Nord
Bend, Oregon 97702-1035
Phone: (541) 382-8028
FAX: (541) 388-0364
F-33700 Merignac - France
Phone: (33) 5 57 92 15 15
FAX: (33) 5 56 47 97 61
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6040BN | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT6045CVR | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT6045BN | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT6045BVR | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT6045SVR | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT6040AN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-3 |
| APT6040BN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
| APT6040BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 |
| APT6040BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD |
| APT6040BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
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