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參數資料
| 型號： | APT6040BNR-GULLWING |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | APT6040BNR-GULLWING |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6045BNR-GULLWING | 17 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT6040BN | 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT6045BN | 17 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT6040BN | 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT6040SVR | 15 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT6040BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
| APT6040BVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT6040BVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V |
| APT6040BVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT6040DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | CHIP |
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