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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT65GL100BN |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 65 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 596K |
| 代理商： | APT65GL100BN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GF60BNU1 | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT30GL100BN | 30 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT45GL100BN | 45 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT130GL60JN | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT11GF120BRD1 | 22 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT65GP60B2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT65GP60B2G | 功能描述:IGBT 600V 100A 833W TMAX RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT65GP60J | 功能描述:IGBT 600V 130A 431W SOT227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT65GP60JDQ2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT65GP60L2DF2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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