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參數資料
| 型號： | APT75GL60BN |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 596K |
| 代理商： | APT75GL60BN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GL60BN | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GF100BN | 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT30GF60BN | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT110GF60JN | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GF100BN | 25 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT75GN120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT75GN120B2G | 功能描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT75GN120J | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT75GN120JDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT75GN120JDQ3G | 功能描述:IGBT 1200V 124A 379W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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