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參數資料
| 型號： | APT75GN120B2 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | T-MAX, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 402K |
| 代理商： | APT75GN120B2 |
050-7607
Rev
C
10-2005
APT75GN120B2_L(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
6,000
1,000
500
100
250
200
150
100
50
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600 800 1000 1200 1400
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10
30
50
70
90
110
130 150
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 1.0
60
10
5
1
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
res
C
ies
C
oes
0.0686
0.0630
0.0182
0.0139
0.203
1.62
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GN60B | 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT75GN60BG | 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT75GN60B | 155 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT75GP120J | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GP120J | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| APT75GN120JR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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