- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48371 > APT75GP120J (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APT75GP120J |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | APT75GP120J |
050-7422
Rev
B
5-2003
APT75GP120J
T
J
= 125°C, VGE = 10V or 15V
T
J
= 25°C, VGE = 10V or 15V
VCE = 600V
RG = 5
L = 100 H
V
GE =
10V,TJ=125°C
VGE= 15V
VGE= 10V
V
GE
=15V,TJ=125°C
V
GE =
10V,TJ=25°C
V
GE =
15V,TJ=25°C
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
T
J
= 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J
= 25 or 125°C,VGE = 10V
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
10
40
70
100
130
160
0
20
40
60
80
100 120 140
160
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
40
30
20
10
0
120
100
80
60
40
20
0
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
20000
15000
10000
5000
350
300
250
200
150
100
50
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
15000
12500
10000
7500
5000
2500
0
VCE = 600V
TJ = 25°C or 125°C
RG = 5
L = 100 H
R
G
=5
, L = 100H, V
CE = 600V
R
G
=5
, L = 100H, V
CE = 600V
TJ =125°C, VGE=15V
TJ =125°C,VGE=10V
TJ = 25°C, VGE=10V
TJ = 25°C, VGE=15V
Eoff 150A
Eon2 150A
Eon2 37.5A
Eoff 75A
Eon2 75A
Eoff 37.5A
Eon2 37.5A
Eoff 75A
Eon2 75A
Eon2 150A
Eoff 150A
Eoff 37.5A
VCE = 600V
L = 100 H
RG = 5
VCE = 600V
VGE = +15V
T
J = 125°C
VCE = 600V
VGE = +15V
RG = 5
T
J
= 25°C, VGE = 10V or 15V
T
J
= 125°C, VGE = 10V or 15V
VCE = 600V
L = 100 H
RG = 5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT8024B2LL | 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT8024LLLG | 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT8024LLL | 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT8024B2LL | 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT8024LLL | 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT75GP120JDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT75GT120JR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT75GT120JRDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 97A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT75GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 100A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT75GT120JU3 | 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。