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參數資料
| 型號： | APT75GT120JRDQ3 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 449K |
| 代理商： | APT75GT120JRDQ3 |
052-6276
Rev
C
12-2005
APT75GT120JRDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT75GT120JRDQ3
1200
±30
97
42
225
225A @ 1200V
481
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 1 @ T
C = 150°C
Switching Safe Operating Area @ T
J = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
The Thunderblot IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non- Punch
Through Technology, the Thunderblot IGBT offers superior ruggedness and ultrafast
switching speed.
Low Forward Voltage Drop
High Freq. Switching to 20KHz
Low Tail Current
Ultra Low Leakage Current
RBSOA and SCSOA Rated
Thunderbolt IGBT
SO
T-2
27
ISOTOP
file # E145592
"UL Recognized"
G
E
C
1200V
APT75GT120JRDQ3
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 4mA)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 3mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 75A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 75A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Intergrated Gate Resistor
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
R
G(int)
Units
Volts
A
nA
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
MIN
TYP
MAX
1200
4.5
5.5
6.5
2.7
3.2
3.7
3.9
200
TBD
480
5
C
E
G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GT120JU2 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT77N60BC6 | 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT77N60SC6 | 77 A, 600 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT75GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 100A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT75GT120JU3 | 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT75M50B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT75M50B2_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
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