欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: APT75GT120JU3
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
中文描述: 1000V的集電極降壓斬波溝道IGBT
文件頁數: 1/7頁
文件大?。?/td> 618K
代理商: APT75GT120JU3
APT75GT120JU3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 7
ISOTOP
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
I
C1
I
C2
I
CM
Pulsed Collector Current
V
GE
Gate – Emitter Voltage
P
D
Maximum Power Dissipation
IF
AV
Maximum Average Forward Current
IF
RMS
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
Parameter
Max ratings
1200
100
75
175
±20
416
27
34
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
Continuous Collector Current
A
V
W
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
Duty cycle=0.5
A
C
A
E
G
V
CES
= 1200V
I
C
= 75A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT
Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
ISOTOP
Package (SOT-227)
Very low stray inductance
High level of integration
Benefits
Low conduction losses
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
ISOTOP
Buck chopper
Trench IGBT
A
C
G
E
相關PDF資料
PDF描述
APT77N60JC3 Super Junction MOSFET
APT8011JFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8011 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8011JLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
APT8014JFLL Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
相關代理商/技術參數
參數描述
APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT75M50B2_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT77H60J 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel Ultrafast Recovery FREDFET
APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
主站蜘蛛池模板: 南华县| 淮北市| 钟山县| 中阳县| 淮北市| 墨江| 定日县| 大城县| 夹江县| 三江| 南宁市| 金湖县| 崇左市| 图片| 耿马| 泗水县| 行唐县| 江门市| 沂源县| 财经| 临江市| 白城市| 绥芬河市| 交城县| 塔河县| 通道| 台前县| 西宁市| 蓬溪县| 天峻县| 兴国县| 连南| 阜南县| 屏山县| 南部县| 会宁县| 安泽县| 清原| 大冶市| 达拉特旗| 大厂|