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參數資料
| 型號： | APT8090HN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 10.5 A, 800 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
| 封裝： | TO-258, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | APT8090HN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT4065CN | 9 A, 400 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT501R1AN | 7.5 A, 500 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| APT601R6AN | 6 A, 600 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| APT10026DFN | 36 A, 1000 V, 0.26 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT802R4AN | 5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT80F60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:10 系列:* |
| APT80F60J_11 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET |
| APT80GA60B | 功能描述:IGBT 600V 143A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT80GA60LD40 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3+Tab) TO-264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 143A 625W TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Microsemi 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
| APT80GA60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
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