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參數資料
| 型號： | APTGF100A120T3AG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 130 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 199K |
| 代理商： | APTGF100A120T3AG |
APTGF100A120T3AG
APT
G
F100A120T
3AG
–
Rev
0
M
ay,
2009
www.microsemi.com
4 – 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
01
23
45
6
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
175
200
01
23
4
5
6
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5.6
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
304050
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 100A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=5.6
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lImp
e
da
nc
e
(°
C
/W
)
IGBT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF100DA120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF100DA120T | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF10X60RTP2G | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF10X60BTP2 | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF10X60RTP2 | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGF100A120T3WG | 功能描述:IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF100A120TG | 功能描述:POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF100DA120T1G | 功能描述:IGBT 1200V 130A 735W SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF100DA120TG | 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF100DU120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
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