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參數資料
| 型號： | APTGF100DA120T |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | APTGF100DA120T |
APTGF100DA120T
A
PT
G
F100D
A
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5- 6
VGE = 15V
25
30
35
40
45
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
n)
,Tur
n
-O
n
D
el
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m
e
(
n
s)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 2.5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
200
250
300
350
400
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
t
d
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ff
),
T
u
rn
-O
ff
De
la
y
T
im
e
(
n
s)
VCE = 600V
RG = 2.5
VGE=15V
20
60
100
140
180
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
is
eT
ime
(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 2.5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
a
ll
T
ime
(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 2.5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
8
16
24
32
40
48
56
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on,
Tur
n
-O
n
E
n
er
gy
Los
s
(
m
J
)
VCE = 600V
RG = 2.5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
4
8
12
16
0
50
100
150
200
250
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff,
T
u
rn
-o
ff
E
n
e
rg
yL
o
ss
(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 2.5
Eon, 100A
Eoff, 100A
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ch
in
g
E
n
e
rg
yL
o
ss
es
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 100A
Eoff, 100A
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
4
8
12
16
0
255075
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
ch
in
g
E
n
er
gy
Los
s
es
(
m
J
)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 600V
V
GE = 15V
RG = 2.5
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PDF描述 |
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| APTGF100DA120TG | 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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| APTGF100SK120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module |
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