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參數(shù)資料
型號: APTGF150X60TE3G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, E3, 35 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 296K
代理商: APTGF150X60TE3G
APTGF150X60TE3G
A
P
T
G
F
150
X
60T
E
3G
R
ev
2
A
pr
il,
2006
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC= 25°C
225
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
150
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
450
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
700
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
400A@480V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
T1
R
T2
Q5
11
12
Q6
9
10
V
8
Q2
5
6
U
Q1
W
1
P+
2
N-
4
3
Q3
Q4
7
15
16
17
13
14
8
79
11
10
18
19
56
34
1
21
20
12
2
VCES = 600V
IC = 150A @ Tc = 80°C
Application
AC Motor control
Features
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS Compliant
3 Phase bridge
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF200DA120D3G IGBT
APTGF200SK120D3G IGBT
APTGF25A120T1G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF25H120T1G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF25H120T3G 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF15A120T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE 1200V SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15H120T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15H120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF15H120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF15X120E2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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