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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGF180A60TG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-12 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | APTGF180A60TG |
APTGF180A60TG
A
P
T
G
F
180
A
60T
G
–
R
ev
2
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
1 - 6
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Non Punch Through (NPT)
Fast IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 100 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS compliant
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
VBUS
Q1
G1
E1
OUT
NTC2
0/VBU S
G2
E2
NTC1
Q2
OUT
NTC2
VBUS
E1
G2
E2
NTC1
0/VBUS
G2
E2
G1
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
Tc = 25°C
220
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
180
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
630
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
833
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
400A @ 600V
VCES = 600V
IC = 180A @ Tc = 80°C
Phase leg
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF180A60T | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180A60T | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180DA60TG | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180DU60TG | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180H60G | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF180DA60D3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF180DA60TG | 功能描述:IGBT 600V 220A 833W SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF180DH60G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF180DU60T | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source NPT IGBT Power Module |
| APTGF180DU60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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