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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGF30X60P2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-17 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | APTGF30X60P2 |
APTGF30X60E2
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APT website – http://www.advancedpower.com
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Package outline
Pin out: APTGF30X60P2 (Short pins)
ALL DIMENSIONS MARKED " * " ARE TOLERENCED AS :
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF30X60P2G | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF350A60 | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF350A60 | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF350DA60 | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF350DA60 | 430 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF30X60P2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF30X60RTP2G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF30X60T3G | 功能描述:IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF330A60D3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF330A60D3G | 功能描述:IGBT NPT PHASE 600V 520A D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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