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參數資料
型號: APTGF500U60D4G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 625 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-4
文件頁數: 5/5頁
文件大小: 198K
代理商: APTGF500U60D4G
APTGF500U60D4G
APT
G
F500U60D4G
Rev
1
July,
2
008
www.microsemi.com
5- 5
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
0
100 200 300 400 500 600 700
IC (A)
Fm
ax
,O
p
er
ati
n
g
F
req
uen
cy
(k
Hz
)
VCE=300V
D=50%
RG=12
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
VF (V)
I F
(A)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
p
e
dan
ce
(
°C/W)
Diode
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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