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參數資料
型號: APTGF75DDA120T
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-14
文件頁數: 5/5頁
文件大小: 275K
代理商: APTGF75DDA120T
APTGF75DDA120T
A
P
T
G
F
75
D
A
120T
R
ev
1
A
ugus
t,2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
0
0.511.522.5
3
V
F (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
204060
80
100
I
C (A)
Fma
x,
O
p
e
ra
ti
ng
Fr
e
que
nc
y
(k
H
z)
VCE=600V
D=50%
RG=7.5
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lI
m
pe
d
a
nc
e
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料
PDF描述
APTGF75DDA120T 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75H120T 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75H120T 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF90SK60TG 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGS75X170E3G 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
APTGF75DDA120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF75DH120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF75DH120T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF75DH120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGF75DSK120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
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