- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄48374 > APTGF75H120T 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APTGF75H120T |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-14 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | APTGF75H120T |
APTGF75H120T
A
P
T
G
F
75
H
120T
–
R
ev
0
J
anua
ry,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
00.5
11.5
2
2.5
3
VF (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2040
6080
100
IC (A)
Fma
x,
O
p
er
at
ing
Fr
e
que
nc
y
(k
H
z)
VCE=600V
D=50%
RG=7.5
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
nc
e(°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF90SK60TG | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGS75X170E3G | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGS75X170E3 | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGS75X170E3 | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100A170T | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF75H120T3AG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGF75H120TG | 功能描述:POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF75H120TG_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF75SK60D1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Buck Chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF75SK60D1G | 功能描述:IGBT 600V 100A 355W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。