- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄36732 > APTGL120TDU120TPG (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APTGL120TDU120TPG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-23 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | APTGL120TDU120TPG |
APTGL120TDU120TPG
APT
G
L
120T
DU120T
PG
–
Rev
1
M
ar
ch,
2010
www.microsemi.com
1- 5
Application
AC Switches
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT 4 Technology
-
Low voltage drop
-
Low leakage current
-
Low switching losses
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
-
Symmetrical design
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
RoHS Compliant
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
E5
G5
E6
G6
G2
E2
E4
G4
NT
C
1
NT
C
2
C4
C6
C2
E5/E6
E3/E4
E1/E2
C3
C1
E3
G1
G3
E1
C5
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
140
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
120
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
200
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
517
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
200A @ 1150V
VCES = 1200V
IC = 120A @ Tc = 80°C
Triple Dual Common Source
Trench + Field Stop IGBT4
Power module
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGS10X120RTP2 | 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGS10X120BTP2G | 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGS10X120RTP2 | 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGS10X120BTP2 | 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGS10X120RTP2G | 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGL180A1202G | 功能描述:POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGL180A120T3AG | 功能描述:IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGL180A120T3AG_11 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT4 Power Module |
| APTGL240TL120G | 功能描述:POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGL30H120T1G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power Module |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。