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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGL60TL120T3G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | APTGL60TL120T3G |
APTGL60TL120T3G
APT
G
L
60T
L
120T
3G
–
Rev
0
M
arch,
2009
www.microsemi.com
1- 6
Q1 to Q4 Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
80
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
60
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
100
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
280
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
100A @ 1100V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
See application note APT0502 on www.microsemi.com
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
All multiple inputs and outputs must be shorted together
Example: 10/11/12 ; 7/8 …
VCES = 1200V
IC = 60A @ Tc = 80°C
Application
Solar converter
Uninterruptible Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT 4 Technology
-
Low voltage drop
-
Low leakage current
-
Low switching losses
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS Compliant
Three level inverter
Trench + Field Stop IGBT4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100A120T3AG | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100A170D1 | 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100A170D1 | 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100A170D1G | 200 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100A60T3AG | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGL700DA120D3G | 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:840A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:37.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:D3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APTGL700SK120D3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 |
| APTGL700U120D4G | 功能描述:IGBT 1200V 910A 3000W D4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGL700U120D4G_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Single switch Trench + Field Stop IGBT4 Power Module |
| APTGL875U120DAG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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