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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT100A170T |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | APTGT100A170T |
APTGT100A170T
A
P
T
G
T
100
A
170T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
00.511.5
22.5
3
3.5
4
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=20V
VGE=9V
0
40
80
120
160
200
01
234
5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
56789
10
11
12
13
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE = 15V
RG = 4.7
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
12.5
25
37.5
50
62.5
75
87.5
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 900V
VGE =15V
IC = 100A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
0
400
800
1200
1600
2000
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=4.7
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
pe
d
a
nc
e
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100A170T | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100DA170T | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100DA170T | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100DH60T | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100DH60T | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT100A170TG | 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100A602G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 600V 150A SP2 |
| APTGT100A60T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100A60T1G | 功能描述:IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100A60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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