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參數(shù)資料
型號: APTGT100A170T
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-12
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 279K
代理商: APTGT100A170T
APTGT100A170T
A
P
T
G
T
100
A
170T
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
00.5
11.5
22.5
3
VF (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100 120 140
IC (A)
F
m
ax
,O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
k
H
z)
VCE=900V
D=50%
RG=4.7
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
pe
d
a
nc
e
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT100DA170T 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DA170T 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DH60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100DH60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100H120 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT100A170TG 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100A602G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 600V 150A SP2
APTGT100A60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT100A60T1G 功能描述:IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT100A60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
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