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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT100DA170T |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | APTGT100DA170T |
APTGT100DA170T
A
P
T
G
T
100
D
A
170
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
350
A
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(sat)
Collector Emitter Saturation Voltage
VGE = 15V
IC = 100A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
9
Coes
Output Capacitance
0.36
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.3
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
370
Tr
Rise Time
40
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 100A
RG = 4.7
180
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
400
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
800
Tf
Fall Time
300
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
32
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 900V
IC = 100A
RG = 4.7
31
mJ
Chopper diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
350
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
600
A
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 80°C
100
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 100A
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
385
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
490
ns
Tj = 25°C
28
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 100A
VR = 900V
di/dt =1600A/s
Tj = 125°C
46
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100DH60T | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100DH60T | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H120 | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H120 | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H170 | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT100DA170TG | 功能描述:IGBT 1700V 150A 560W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100DA60T1G | 功能描述:IGBT BOOST CHOP 600V 150A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100DA60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DA60TG | 功能描述:IGBT 600V 150A 340W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100DDA60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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