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參數資料
| 型號： | APTGT100DH60T |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-14 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | APTGT100DH60T |
APTGT100DH60T
A
P
T
G
T
100
D
H
60
T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
00.5
1
1.522.5
3
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
175
200
00.511.5
2
2.533.5
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
5
6
7
8
9
101112
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
1
2
3
4
5
6
7
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 10
TJ = 150°C
Eon
Eoff
Er
0
2
4
6
8
10
12
0
1020
304050
60
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 100A
TJ = 150°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=150°C
RG=10
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
ce
(
°C
/W
)
IGBT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100DH60T | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H120 | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H120 | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H170 | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100H170 | 150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT100DH60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DH60TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT100DSK60T3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100DSK60T3G | 功能描述:IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT100DU120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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