欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: APTGT100H60T
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-14
文件頁數: 3/5頁
文件大小: 279K
代理商: APTGT100H60T
APTGT100H60T
A
P
T
G
T
100
H
60T
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.advancedpower.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.44
RthJC
Junction to Case
Diode
0.77
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
1.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Package outline (dimensions in mm)
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關PDF資料
PDF描述
APTGT100SK120T 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK120T 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT100SK60T 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA120T 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
APTGT100H60T3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT100H60T3G 功能描述:IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT100H60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT100SK120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT100SK120D1G 功能描述:IGBT 1200V 150A 520W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
主站蜘蛛池模板: 咸宁市| 建宁县| 蒙山县| 清苑县| 瓮安县| 巴南区| 锡林郭勒盟| 疏附县| 绵阳市| 吕梁市| 周至县| 天台县| 洛川县| 甘孜| 龙州县| 轮台县| 曲沃县| 乌拉特前旗| 蓬安县| 中阳县| 偏关县| 师宗县| 道真| 册亨县| 隆化县| 辽中县| 宁夏| 三穗县| 长阳| 浪卡子县| 离岛区| 琼结县| 武宁县| 吕梁市| 洛隆县| 商都县| 遵义县| 永州市| 黔东| 五台县| 瑞昌市|