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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGT100SK120T |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | APTGT100SK120T |
APTGT100SK120T
A
P
T
G
T
100
S
K
120T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 5
Typical Performance Curve
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
01
23
4
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
50
100
150
200
01
234
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
56789
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Er
0
5
10
15
20
25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 3.9
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Er
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 100A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
40
80
120
160
200
240
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=3.9
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
e
rm
a
lI
m
p
e
da
nc
e
(
°C
/W
)
IGBT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100SK60T | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT100SK60T | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120T | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120T | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT100SK120TG | 功能描述:IGBT 1200V 140A 480W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100SK170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT100SK170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 200A 695W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT100SK170DG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT100SK170T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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