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參數資料
| 型號： | APTGT100SK60T |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | APTGT100SK60T |
APTGT100SK60T
A
P
T
G
T
100
S
K
60T
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
20
40
60
80
100
120
0
255075
100
125
150
IC (A)
F
m
a
x,
O
p
er
at
in
g
F
req
u
e
n
cy
(
k
H
z)
VCE=300V
D=50%
RG=10
TJ=150°C
Tc=85°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration in Seconds
T
h
e
rm
al
Im
p
e
d
a
n
ce
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT100SK60T | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120T | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120T | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120 | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT100SK60T1G | 功能描述:IGBT 600V 150A 340W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT100SK60T3AG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT100SK60TG | 功能描述:IGBT 600V 150A 340W SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT100TA120TPG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 140A 23-Pin Case SP6-P 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
| APTGT100TA60P | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Triple phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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