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參數(shù)資料
型號: APTGT150DA120
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-5
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 267K
代理商: APTGT150DA120
APTGT150DA120
A
P
T
G
T
150
D
A
120
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
0
40
80
120
160
200
240
IC (A)
Fm
a
x
,O
p
er
at
in
g
F
re
q
ue
n
c
y(
kH
z)
VCE=600V
D=50%
RG=2.2
TJ=125°C
Tc=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lIm
p
e
d
an
ce
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150DA120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200SK120D3 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200SK120D3 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA170 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA170 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
APTGT150DA120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT150DA120D1G 功能描述:IGBT 1200V 220A 700W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150DA120D3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper Trench IGBT Power Module
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APTGT150DA120G 功能描述:IGBT 1200V 220A 690W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B
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